Bài giảng Cấu kiện điện tử và quang điện tử: Chương 7 - Ths. Trần Thục Linh

BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 1 CHƯƠNG 7. Hiện tượng trễ 2. Điốt DIAC 4. Cấu kiện chỉnh lưu có điều khiển Silic - SCR TRIAC 6. đơn nối – UJT GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 2 Hiện tượng thuộc lớp cấu kiện bán dẫn có trễ. Do đặc tính trễ mà một hệ thống sẽ không trở về trạng thái ban đầu sau khi nguyên nhân gây ra sự thay đổi trạng thái không còn là cấu kiện bán dẫn có xu hướng ở trạng thái “mở” mỗi khi được bật, và có xu hướng ở trạng thái “tắt” mỗi khi được tắt. Một sự kiện nhất thời có thể lật thyristor sang trạng thái “mở” hoặc “tắt” và nó sẽ tự duy trì ở trạng thái đó thậm chí sau khi gây ra sự thay đổi trạng thái không còn nữa Do đó Thyristor được sử dụng như một cấu kiện chuyển mạch nó không thể được sử dụng như là một bộ khuếch đại tín tự BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 3 Khởi đầu cho việc chế tạo ra thyristor bắt nguồn từ một cấu kiện có tên là điốt 4 lớp, còn gọi là PNPN điốt, hay điốt điốt Shockley bao gồm 2 lưỡng cực, một PNP và một NPN mắc với nhau như hình vẽ 7.1 Điốt Shockley (1) Sơ đồ vật lý Sơ đồ tương đương Ký 7.1 - Điốt Shockley: Sơ đồ vật lý, Sơ đồ tương đương, Ký GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 4 Nguyên lý hoạt động: Cấp nguồn cho mạch tương đương của điốt Shockley như h/vẽ Khi không có điện áp của nguồn cung cấp → không có dòng điện Khi U bắt đầu tăng lên thì vẫn sẽ không có dòng điện bởi vì không có nào ở chế độ dẫn (mở): cả hai sẽ đều ở chế độ Shockley (2) Hình 7.2 Dòng cực gốc chảy qua ở phía dưới được điều khiển bởi ở phía trên, và dòng cực gốc chảy qua ở phía trên được điều khiển bởi ở phía dưới. Nói cách khác chẳng nào có thể dẫn điện cho đến khi kia dẫn (hình GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 5 Điốt Shockley (3) Vậy làm thế nào mà một điốt Shockley có thể dẫn điện ? Nếu hai thật được nối theo kiểu để tạo ra một điốt Shockley thì mỗi sẽ dẫn khi có một điện áp đủ lớn giữa anốt và catốt để khiến một trong số chúng thoát ra khỏi trạng thái ngắt Mỗi khi một thoát ra khỏi trạng thái ngắt và bắt đầu dẫn, nó sẽ cho phép dòng cực gốc chảy qua còn lại làm cho này dẫn điện theo cách thông thường, và sau đó cho phép dòng cực gốc chạy qua đầu tiên. Cuối cùng thì cả hai sẽ đều bão hoà và sẽ giữ cho nhau ở trạng thái dẫn (on) thay vì ở trạng thái ngắt làm cách nào để hai lại trở lại trạng thái U cung cấp tới một giá trị rất nhỏ sao cho chỉ có dòng điện rất nhỏ chảy qua các cực của → một trong hai sẽ ngắt, dẫn đến việc làm ngưng dòng cực gốc chảy qua kia, khiến cho cả hai đều rơi vào trạng thái GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 6 Đặc tuyến Vôm/Ampe là đường trễ kinh điển, khi tín hiệu điện áp đầu vào tăng lên và giảm xuống, dòng điện đầu ra không đi theo cùng một con đường đi xuống giống như khi nó đi lên Điốt Shockley có xu hướng duy trì ở trạng thái dẫn (on) một khi nó đã dẫn điện, và ở trạng thái tắt một khi nó đã ngắt điện. Không có chế độ “ở giữa” hay “tích cực” trong hoạt động của nó: nó chỉ thuần tuý là cấu kiện bật (on) hoặc tắt (off), giống như tất cả Shockley áp cung cấpHình 7.3 – Đường cong GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 7 DIAC hai điốt Shockley có thể được mắc song song với nhau theo 2 hướng ngược nhau. Diac có thể có hoạt động song Mạch tương đương của DIAC Ký hiệu của 7.4 – GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 8 DIAC lý hoạt cấp một điện áp một chiều vào hai đầu của DIAC thì nó hoạt động giống hệt như một điốt nhiên, khi cấp một điện áp xoay chiều (AC) vào hai đầu của DIAC thì nó hoạt động hoàn toàn khác. Do dòng điện liên tục đảo chiều, các DIAC sẽ không duy trì ở trạng thái “chốt” lâu hơn một nửa chu kỳ. Nếu một DIAC bắt đầu “chốt”, nó sẽ chỉ tiếp tục dẫn dòng chừng nào điện áp đủ lớn để đưa đủ dòng điện theo hướng đó. Khi điện áp AC đảo chiều, DIAC sẽ ngắt do không đủ dòng điện và nó cần phải có một điện áp đủ voltage) khác để khiến nó dẫn trở lại. Hình 7.4 mô tả dạng sóng của DIAC BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 9 DIAC (2) Điện áp khiến DIAC dẫn Điện áp dẫn Điện áp cấp Dòng DIAC Dòng Anốt: +IA Dòng điện khiến DIAC dẫn, thông thường 50–200 μAĐiện áp đánh thủng, điện đánh thủng, thông thường 50–200 μA Điện áp khiến DIAC dẫn, thông thường 7.5 – Các dạng sóng của 7.6 Đặc tuyến Vôn Ampe của một DIAC song DIAC không bao giờ được sử dụng một mình, mà sử dụng kết hợp với các cấu kiện Thyristor GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 10 SCR: Rectifier (1) Cấu tạo: quá trình biến điốt Shockley thành SCR chỉ cần thêm một sợi dây thứ 3 nối vào cấu trúc PNPN như mô tả ở hình vẽ 7.7 Sơ đồ vật lý Sơ đồ tương đương Ký 7.7 – Cấu kiện chỉnh lưu có điều khiển Silic GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA lý hoạt động Nếu cực cổng G của một SCR để hở (không nối) thì nó hoạt như một điốt cực cổng G nối trực tiếp với cực gốc của phía dưới, nó có thể được sử dụng như một phương tiện thay thế để “chốt” SCR Cung cấp một U nhỏ giữa cực cổng và catốt, phía dưới sẽ buộc phải “dẫn” do có dòng cực gốc đủ lớn, kéo theo phía trên cũng dẫn, và nó lại cung cấp đủ dòng điện cho cực gốc phía dưới. Kết quả là sau đó SCR không còn cần được kích hoạt bởi một điện áp cổng nữa Tất nhiên, dòng cực cổng cần thiết để khởi động việc “chốt” sẽ nhỏ hơn rất nhiều so với dòng điện chảy qua SCR từ catốt đến anốt, do đó SCR sẽ có khả năng khuếch đại SCR GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 12 SCR pháp buộc SCR dẫn điện được gọi là kích hoạt và trong thực tế nó là cách thông thường nhất để SCR được “chốt”. Để tắt một SCR, dòng anốt phải giảm xuống dưới dòng giữ (holding Trong các mạch một chiều (DC) một số phụ kiện thêm vào phải được sử dụng để đảm bảo điều này. Trong các mạch xoay một SCR sẽ tắt khi điện áp cung cấp (điện áp anốt) đi qua điểm 0 hướng tới các giá trị thái thái tắt) điện áp khiến một chuyển sang trạng thái thái chặn áp áp 7.8 – Đặc tuyến V- A của một GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 13 GTO Thyristor : Thyristor cổng tắt) Cấu tạo: Các SCR và GTO có cùng sơ đồ tương đương (gồm nối theo kiểu hồi tiếp dương), điều khác biệt duy nhất là cấu trúc được thiết kế để cho phép một NPN có hệ số β lớn hơn hệ số β của PNP. Điều này cho phép một I cực cổng nhỏ hơn (thuận hoặc ngược) để tạo ra một mức độ lớn hơn áp dụng cho việc dẫn từ catốt sang anốt, với chốt của PNP trở nên phụ thuộc nhiều hơn vào trạng thái chốt của NPN và ngược lại. GTO còn được gọi là “chuyển mạch được bằng cổng”- Switch ( cửa Hình 7.9 – GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 14 TRIAC SCR là cấu kiện đơn hướng (một chiều), do đó nó chỉ hữu ích cho việc điều khiển một chiều (DC). Nếu hai SCR được nối với nhau theo kiểu song song như hình vẽ 8.34 thì ta có một cấu kiện mới gọi là TRIAC Hình 7.10 - Mạch tương đương của Triac (a) và ký hiệu của Triac GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 15 Đặc tuyến Vôn – Ampe của một giữ nhỏ nhất áp thái nhỏ nhất được định rõ Điện áp khiến TRIAC chốt rò trạng thái tại điện áp đã định rõ áp rơi (vT) tại dòng đã được định 7.11 - Đặc tuyến Vôn – Ampe của một GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA ĐƠN NỐI 7.12 - đơn nối: (a) Cấu tạo, (b) Mô hình, (c) Ký hiệu Cấu tạo: gồm một thanh bán dẫn Silic loại N có một đầu nối loại P ở chính giữa. Các đầu nối tại hai đầu cuối của thanh bán dẫn được gọi là các cực cửa B1 và B2; điểm nối ở giữa loại P là cực phát Khi cực phát hở, điện trở toàn phần là RBB0 (một thông số trong bản thông số (data sheet) của linh kiện) bằng tổng của hai điện trở RB1 và RB2. BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 17 Đường cong đặc tuyến giữa dòng cực phát đơn nối và điện áp được mô tả như sau: khi VE tăng, dòng IE tăng đến IP (điểm đỉnh – peak point). Sau khi tăng đến điểm đỉnh (IP), trong vùng điện trở âm (negative region) dòng IE tăng tiếp mặc dù điện áp giảm. Điện áp đạt giá trị nhỏ nhất tại điểm đáy (valley point). Điện trở của RB1, điện trở bão hoà là nhỏ nhất tại điểm đáy Bão hòa Hình 7.13 - đơn nối: (a) đường cong đặc tuyến phát, (b) Mô hình cho VP BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 18 Ứng dụng của UJT: Dùng để chế tạo bộ tạo dao động hồi phục Điện áp cấp VBB sẽ nạp điện cho CE qua RE cho đến điểm đỉnh (peak point). Cực phát đơn nối không có tác động gì đến tụ điện cho đến khi điểm đỉnh được đạt tới. Mỗi khi điện áp của tụ (VE) đạt tới điểm điện áp đỉnh VP, điện trở cực phát -cực cửa1 (E-B1) bị nhỏ đi sẽ khiến tụ phóng một cách Mỗi khi tụ phóng điện đến dưới điểm đáy VV, điện trở E-B1 quay trở lại thành điện trở cao, và tụ điện lại được nạp Trong khi tụ phóng điện qua điện trở bão hoà E-B1, một xung có thể xuất hiện trên các điện trở tải ngoài B1 và B2 (Hình vẽ 7.14). Điện trở tải tại B1 cần phải nhỏ để không ảnh hưởng đến thời gian phóng điện. Điện trở ngoài tại B2 là tuỳ chọn. Nó có thể được thay thế bởi một ngắn mạch. Tần số xấp xỉ được cho bởi 1/f = T = RC BÀI GIẢNG MÔN CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA 19 Điện trở nạp RE phải giảm đi trong các giới hạn nhất định. Nó buộc phải đủ nhỏ để cho phép dòng IP chảy dựa trên việc nguồn cung cấp VBB nhỏ hơn VP. Nó cũng buộc phải đủ lớn để cung cấp dòng IV dựa trên việc nguồn cung cấp VBB nhỏ hơn VV. Hình 7.14 - Bộ tạo dao động hồi phục dùng UJT và các dạng sóng. Bộ tạo dao động điều khiển SCR BG liệu học tập Yêu cầu môn học 1. Giới thiệu chung về Cấu kiện điện tử Vi mạch và ứng sử phát triển công nghệ (1) Lịch sử phát triển công nghệ (2) Lịch sử phát triển công nghệ (3) Đặc điểm phát triển của mạch tích hợp (IC) 2. Phân loại cấu kiện điện tử 2.1 Phân loại dựa trên đặc tính vật lý 2.2 Phân loại dựa trên chức năng xử lý tín hiệu 2.3 Phân loại theo ứng dụng 3. Giới thiệu về vật liệu điện tử Cơ sở vật lý của vật liệu điện tử Lý thuyết vật lý chất rắn Lý thuyết vật lý cơ học lượng tử Sự hình thành vùng năng lượng (1) Sự hình thành vùng năng lượng (2) Sự hình thành vùng năng lượng (3) Cấu trúc vùng năng lượng của vật chất Các loại vật liệu điện tử 3.1 CHẤT CÁCH ĐIỆN (CHẤT ĐIỆN MÔI) b.1 Hằng số điện môi b.2 Độ tổn hao điện môi (Pa) b3. Độ bền về điện của chất điện môi Dòng điện trong chất điện môi (I)   Phân loại và ứng dụng của chất điện môi 3.2 CHẤT DẪN ĐIỆN   Phân loại và ứng dụng của chất dẫn điện 3.3 VẬT LIỆU TỪ Phân loại và ứng dụng của vật liệu từ 4. Các phần mềm EDA hỗ trợ môn học BG thu trở Định Các tham số kỹ thuật và đặc tính của điện trở a. Trị số điện trở và dung sai b. Hệ số nhiệt của điện trở - TCR c. Công suất tiêu tán danh định của điện trở (Pt.t max ) d. Tạp âm của điện trở 1.3 Ký hiệu của điện trở trên các sơ đồ mạch 1.4 Cách ghi và đọc tham số trên thân điện trở (1) 1.4 Cách ghi và đọc tham số trên thân điện trở (2) 1.5 Điện trở cao tần và mạch tương Phân loại điện trở (1) Một số điện trở đặc biệt 2. Tụ điện Định Các tham số kỹ thuật đặc trưng của tụ điện c. Hệ số nhiệt của tụ điện d. Dòng điện rò e. Sự phân cực 2.3 Ký hiệu của tụ 2.4 Cách đọc và ghi trị số trên tụ 2.5 Sơ đồ tương đương của tụ 2.6 Phân loại tụ điện Ứng dụng Một số hình ảnh của Tụ điện 3. Cuộn cảm Định Ký hiệu của cuộn cảm 3.3 Các tham số kỹ thuật đặc trưng của cuộn cảm a. Độ tự cảm (L) b. Hệ số phẩm chất của cuộn cảm (Q) c. Tần số làm việc giới hạn Cách ghi và đọc tham số trên cuộn cảm 3.5 Phân loại và ứng dụng 4. Biến áp Định lý hoạt động của biến áp 4.2. Các tham số kỹ thuật của biến áp a. Hệ số ghép biến áp K b. Điện áp cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp c. Dòng điện sơ cấp và dòng điện thứ cấp �d. Hiệu suất của biến áp 4.3. Ký hiệu của biến áp 4.4 Phân loại và ứng dụng BG 3- Chất bán dẫn Định nghĩa 2. Cấu trúc mạng tinh thể chất bán dẫn đơn Si Cấu trúc mạng tinh thể của chất bán dẫn ghép 3. Chất bán dẫn thuần tạo thành lỗ trống và điện tử tự do Các thuật ngữ Quá trình tạo hạt tải điện và quá trình tái hợp Hàm phân bố phân bố (1) Hàm phân bố (2) 4. Chất bán dẫn không thuần a. Chất bán dẫn loại N (1) a. Chất bán dẫn loại N (2) b. Chất bán dẫn loại P b. Chất bán dẫn loại P Nồng độ hạt tải điện trong bán dẫn không thuần (1) Nồng độ hạt tải điện trong bán dẫn không thuần (2) Mức Fermi trong chất bán dẫn không thuần (1) Mức Fermi trong chất bán dẫn không thuần (2) 5. Dòng điện trong chất bán dẫn (1) 5. Dòng điện trong chất bán dẫn (2) 6. Độ dẫn điện của chất bán dẫn Tổng kết BG 5- Điốt Giới thiệu Cấu tạo và kí hiệu của điôt chỉnh lưu 3.2 Nguyên lý hoạt động của điôt 3.3 Đặc tuyến Vôn-Ampe của điôt bán dẫn Cơ chế đánh thủng trong chuyển tiếp PN 3.4 Tham số cơ bản của điốt (1) 3.4 Tham số cơ bản của điốt (2) 3.4 Tham số cơ bản của điốt (3) 3.5. Các mô hình tương đương của điốt Các mô hình tương đương của điốt phân cực thuận (1) Các mô hình tương đương của điốt phân cực thuận (2) Các mô hình tương đương của điốt phân cực mô hình tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ (1) Các mô hình tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ (2) Các mô hình tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ (3) 3.6 Phân loại điôt (1) 3.6 Phân loại điôt (2) 3.4 Phân loại điôt (3) Một số hình ảnh của Zener (1) Điốt Zener (2) 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (1) 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (2) 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (3) 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (5) 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (6) 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (7) 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (8) 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (9) BG 5 - BJT lưỡng Cấu tạo BJT loại pnp, npn 1.1. Cấu tạo BJT loại pnp, npn Kí hiệu và các dạng đóng vỏ khác nhau của BJT 1.2. Nguyên lý hoạt động của BJT 1.2. Nguyên lý hoạt động của BJT a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (1) a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (2) a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (3) a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (4) a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (5) Phân bố nồng độ hạt dẫn trong BJT Tính toán dòng Collector : IC Tính toán dòng Base : IB Dòng điện trên cực phát IE a. BJT làm việc trong chế độ tích cực Tóm tắt: BJT làm việc trong chế độ tích cực b. BJT ở chế độ ngắt (Cut-off ) Tính dòng điện trong BJT ở chế độ ngắt c. BJT ở chế độ bão hòa Tính dòng trong BJTở chế độ bão hòa 1.3 Mô hình (1) 1.3 Mô hình (2) Mô hình đơn giản cho các CĐ làm việc 2. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng 2. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng 2. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng Các tham số đặc trưng cho BJTở mỗi chế độ mắc (1) Các tham số đặc trưng cho BJTở mỗi chế độ mắc (2) 2.1 Sơ đồ BJT npn mắc cực phát chung - CE Đặc tuyến ra và đặc tuyến khuếch đại xét đặc tuyến ra Xác họ định đặc tuyến vào tham số đặc trưng (CE) 2.2 Sơ đồ BJT npn mắc cực phát chung - CB Đặc tuyến ra tĩnh xét đặc tuyến vào tĩnh (CB) Các tham số đặc trưng (CB) 2.3 Sơ đồ BJT npn mắc cực góp chung - CC Đặc tuyến vào tĩnh (CC) Đặc tuyến ra (CC) Các tham số đặc trưng (CC) 3. Phân cực cho BJT 3.1 Khái niệm phân cực cho các CĐ làm việc của BJT 3.1 Khái niệm phân cực cho các CĐ làm việc của BJT Mô hình tương đương một chiều 3.2 Mạch định thiên bằng dòng cố định (Đ/thiên cực gốc) 3.3 Mạch phân cực hồi tiếp âm a. Mạch định thiên hồi tiếp âm Mạch định thiên hồi tiếp âm Mạch định thiên hồi tiếp âm Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector và Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp 3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp 3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp 3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp Tổng kết sự cải thiện các mạch định thiên cho BJT Mạch định thiên cho BJT trong chế độ chuyển mạch (chế độ BJT trong chế độ chuyển gian quá độ của BJT 4. Các mô hình tương đương của BJT b. Mô hình tham số Mô hình mạch tương đương Hybrid – mạch CE b2. Mô hình mạch tương đương Hybrid – mạch mắc CB,CC c. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid- Độ hỗ dẫn gm, Điện trở vào Điện áp trở đầu ra Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid- Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid- của BJT pnp d. Mô hình tương đương re Mô hình tương đương re của BJT pnp 5. Phân loại BJT 6. Một số mạch ứng dụng dùng BJT BG KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ 1. Giới thiệu chung về FET Phân loại chung về FET Đặc điểm của FET 2. trường loại tiếp giáp - JFET 2.1 Cấu tạo của JFET (1) 2.1 Cấu tạo của JFET (2) 2.2 Nguyên lý hoạt động của JFET (1) 2.2 Nguyên lý hoạt động của JFET (2) Đặc tuyến ra của JFET kênh N (1) Đặc tuyến ra của JFET kênh N (2) Đặc tuyến ra của JFET kênh N (3) Đặc tuyến truyền đạt của JFET kênh N (1) Đặc tuyến truyền đạt của JFET kênh N (2) Các họ đặc tuyến của JFET kênh N Các họ đặc tuyến của JFET kênh P Tham số cơ bản của JFET kênh N Tham số cơ bản của JFET kênh N So sánh giữa BJT và FET 2.3 Các cách mắc và họ đặc tuyến của JFET So sánh về chế độ làm việc giữa JFET và BJT 2.4 Phân cực cho JFET (1) 2.4 Phân cực cho JFET (2) Định thiên điện áp cực G cố định (Gate tự định thiên (Sefl định thiên tự cấp 2.5 Mô hình tương đương của JFET a/ Mô hình tương đương 1 chiều và tín hiệu lớn b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp (1) b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp (2) b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp (3) 2.6 Một số mạch ứng dụng đơn giản của JFET 3. Cấu trúc MOS 3. Cấu trúc MOS Ứng dụng của cấu trúc MOS 3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (1) 3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (2) 3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (3) 3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (4) 3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (5) 3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (6) 3.2 Điện trường của N-MOS khi được phân cực (1) 3.2 Điện trường của N-MOS khi được phân cực thái năng lượng bằng phẳng = -fB Trạng thái tích luỹ UGB< UFB Trạng thái chuyển tiếp UFB < UGB< 0 Trạng thái chuyển tiếp ): 0< UGB < UT Trạng thái ngưỡng UGB = UT Trạng thái đảo UGB > UT 3.3 Đường cong Q-V của cấu trúc N-MOS 4. trường loại cực cửa cách ly – Cấu tạo của MOSFET (1) 4.1 Cấu tạo của MOSFET (2) 4.1 Cấu tạo của MOSFET (3) 4.1 Hình ảnh của MOSFET 4.2 Nguyên lý làm việc của lý làm việc của D-MOSFET (1) Nguyên lý làm việc của D-MOSFET (2) D-MOSFET làm việc theo nguyên lý làm việc tổn hao D-MOSFET làm việc theo nguyên lý tăng cường Các họ đặc tuyến của D-MOSFET kênh N Các họ đặc tuyến của D-MOSFET kênh P Nguyên lý làm việc của E-MOSFET Đặc tuyến ra của E-MOSFET kênh N Các họ đặc tuyến của E-MOSFET kênh N Các họ đặc tuyến của E-MOSFET kênh P Bảng so sánh đặc tuyến truyền đạt của các cấu kiện FET 4.4 Định thiên (Phân cực) cho Mạch tự định thiên định điểm làm việc Q A2. Định thiên bằng mạch phân áp cho Điểm làm việc Q A3. Định thiên cực G cố định B1. Định thiên cho E-MOSFET bằng mạch hồi tiếp Sơ đồ 1 chiều tương đương Đặc tuyến truyền đạt Xác định điểm làm việc Q Ví dụ B2. Định thiên cho E-MOSFET kênh N dùng mạch phân áp (1) B2. Định thiên cho E-MOSFET kênh N dùng mạch phân áp (2) B2. Định thiên cho E-MOSFET kênh N dùng mạch phân áp (3) 4.5 Mô hình tương đương của Mô hình tương đương 1 chiều và tín hiệu lớn của Mô hình tương đương 1 chiều và tín hiệu lớn của Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của D-MOSFET (1) Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của D-MOSFET (2) Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của E-MOSFET (1) Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của E-MOSFET (2) 4.6 Cấu trúc CMOS BG 7. Thyristor � Hiện tượng trễ Điốt Shockley (1) Điốt Shockley (2) Điốt Shockley (3) Điốt Shockley (4) DIAC (1) DIAC (2) DIAC Đặc tuyến Vôn – Ampe của một ĐƠN NỐI dụng của UJT: BG 8 �CẤU KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ � Giới thiệu chung (1) Giới thiệu chung (2) Giới thiệu chung (3) Giới thiệu chung (4) Các cấu kiện biến đổi Điện – kiện phát tương tác giữa ánh sáng và vật phát quang (LED) chỉ thị (1) LED chỉ thị (2) LED chỉ thị (3) LED chỉ thị (5) LED hồng ngoại (1) � LED hồng ngoại (2) Một số hình ảnh của LED Mặt chỉ thị tinh thể lỏng - LCD (1) LCD (2) LCD bán dẫn bán dẫn (2) Cấu trúc của cấu kiện chuyển đổi Quang – trở Dependent Resistor) trở lý của điốt Diode có lớp bán dẫn Diode đặc điểm của điốt quang quang quang quang (4) Các bộ ghép quang (Opto- Couplers) (1) Các bộ ghép quang (2) Các bộ ghép quang (3) Các bộ ghép quang (4) Các bộ ghép quang (5) Các bộ ghép quang (6) Các bộ ghép quang (7) Các bộ ghép quang (8) Các bộ ghép quang (9)