
Bài giảng Cấu kiện điện tử và quang điện tử: Chương 7 - Ths. Trần Thục Linh
Mô tả tài liệu
Chương 7 Thyristor thuộc bài giảng Cấu kiện điện tử và quang điện tử, nội dung tìm hiểu trong chương này gồm: Hiện tượng trễ; Điốt Shockley; DIAC; Cấu kiện chỉnh lưu có điều khiển Silic - SCR (SiliconControlled Rectifier); TRIAC; Transistor đơn nối – UJT (Unijunction Transistor).
Tóm tắt nội dung
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 1
CHƯƠNG 7. Thyristor
1. Hiện tượng trễ
2. Điốt Shockley
3. DIAC
4. Cấu kiện chỉnh lưu có điều khiển Silic - SCR (Silicon-
Controlled Rectifier)
5. TRIAC
6. Transistor đơn nối – UJT (Unijunction Transistor)
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 2
Hiện tượng trễ
Thyristor thuộc lớp cấu kiện bán dẫn có trễ. Do đặc tính trễ mà một
hệ thống sẽ không trở về trạng thái ban đầu sau khi nguyên nhân gây
ra sự thay đổi trạng thái không còn nữa
Thyristor là cấu kiện bán dẫn có xu hướng ở trạng thái “mở” mỗi khi
được bật, và có xu hướng ở trạng thái “tắt” mỗi khi được tắt. Một sự
kiện nhất thời có thể lật thyristor sang trạng thái “mở” hoặc trạng
thái “tắt” và nó sẽ tự duy trì ở trạng thái đó thậm chí sau khi nguyên
nhân gây ra sự thay đổi trạng thái không còn nữa
Do đó Thyristor được sử dụng như một cấu kiện chuyển mạch bật/tắt
và nó không thể được sử dụng như là một bộ khuếch đại tín hiệu
tương tự
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 3
Khởi đầu cho việc chế tạo ra thyristor bắt nguồn từ một cấu kiện
có tên là điốt 4 lớp, còn gọi là PNPN điốt, hay điốt Shockley
Một điốt Shockley bao gồm 2 transistor lưỡng cực, một transistor
PNP và một transistor NPN mắc với nhau như hình vẽ 7.1
Điốt Shockley (1)
Sơ đồ vật lý Sơ đồ tương đương Ký hiệu
Hình 7.1 - Điốt Shockley: Sơ đồ vật lý, Sơ đồ tương đương, Ký hiệu
Anốt
Catốt
Anốt
Catốt
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 4
Nguyên lý hoạt động:
Cấp nguồn cho mạch tương đương của điốt Shockley như h/vẽ
Khi không có điện áp của nguồn cung cấp → không có dòng điện
Khi U bắt đầu tăng lên thì vẫn sẽ không có dòng điện bởi vì
không có transistor nào ở chế độ dẫn (mở): cả hai transistor sẽ
đều ở chế độ ngắt
Điốt Shockley (2)
Hình 7.2
Dòng cực gốc chảy qua transistor ở phía dưới
được điều khiển bởi transistor ở phía trên, và
dòng cực gốc chảy qua transistor ở phía trên
được điều khiển bởi transistor ở phía dưới. Nói
cách khác chẳng transistor nào có thể dẫn điện
cho đến khi transistor kia dẫn (hình 7.2)
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 5
Điốt Shockley (3)
Vậy làm thế nào mà một điốt Shockley có thể dẫn điện ?
Nếu hai transistor thật được nối theo kiểu để tạo ra một điốt Shockley thì
mỗi transistor sẽ dẫn khi có một điện áp đủ lớn giữa anốt và catốt để
khiến một trong số chúng thoát ra khỏi trạng thái ngắt
Mỗi khi một transistor thoát ra khỏi trạng thái ngắt và bắt đầu dẫn, nó sẽ
cho phép dòng cực gốc chảy qua transistor còn lại làm cho transistor này
dẫn điện theo cách thông thường, và sau đó cho phép dòng cực gốc chạy
qua transistor đầu tiên. Cuối cùng thì cả hai transistor sẽ đều bão hoà và
sẽ giữ cho nhau ở trạng thái dẫn (on) thay vì ở trạng thái ngắt (off).
Nhưng làm cách nào để hai transistor lại trở lại trạng thái ngắt?
Giảm U cung cấp tới một giá trị rất nhỏ sao cho chỉ có dòng điện rất nhỏ
chảy qua các cực của transistor → một trong hai transistor sẽ ngắt, dẫn
đến việc làm ngưng dòng cực gốc chảy qua transistor kia, khiến cho cả
hai transistor đều rơi vào trạng thái ngắt
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 6
Đặc tuyến Vôm/Ampe là đường trễ kinh điển, khi tín hiệu điện
áp đầu vào tăng lên và giảm xuống, dòng điện đầu ra không đi
theo cùng một con đường đi xuống giống như khi nó đi lên
Điốt Shockley có xu hướng duy trì ở trạng thái dẫn (on) một khi
nó đã dẫn điện, và ở trạng thái tắt một khi nó đã ngắt điện. Không
có chế độ “ở giữa” hay “tích cực” trong hoạt động của nó: nó chỉ
thuần tuý là cấu kiện bật (on) hoặc tắt (off), giống như tất cả các
Thyristor.
Điốt Shockley (4)
Dòng
trong
mạch
Điện áp cung cấpHình 7.3 – Đường cong trễ
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 7
DIAC (1)
DIAC: hai điốt Shockley có thể được mắc song song với nhau
theo 2 hướng ngược nhau. Diac có thể có hoạt động song hướng
(AC)
Mạch tương đương của DIAC Ký hiệu của DIAC
Hình 7.4 – DIAC
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 8
DIAC (2)
Nguyên lý hoạt động:
Khi cấp một điện áp một chiều vào hai đầu của DIAC thì nó hoạt
động giống hệt như một điốt Shockley.
Tuy nhiên, khi cấp một điện áp xoay chiều (AC) vào hai đầu của
DIAC thì nó hoạt động hoàn toàn khác. Do dòng điện liên tục
đảo chiều, các DIAC sẽ không duy trì ở trạng thái “chốt” lâu
hơn một nửa chu kỳ. Nếu một DIAC bắt đầu “chốt”, nó sẽ chỉ
tiếp tục dẫn dòng chừng nào điện áp đủ lớn để đưa đủ dòng điện
theo hướng đó. Khi điện áp AC đảo chiều, DIAC sẽ ngắt do
không đủ dòng điện và nó cần phải có một điện áp đủ lớn
(breakover voltage) khác để khiến nó dẫn trở lại. Hình 7.4 mô tả
dạng sóng của DIAC
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 9
DIAC (2)
Điện áp khiến DIAC dẫn
Điện áp khiến
DIAC dẫn
Điện áp nguồn
cung cấp
Dòng DIAC Dòng Anốt: +IA
Dòng điện khiến DIAC dẫn,
thông thường 50–200 μAĐiện áp đánh thủng, thông
thường 20–40V
Dòng điện đánh thủng,
thông thường 50–200 μA
Điện áp khiến DIAC dẫn,
thông thường 20-40V
Hình 7.5 – Các dạng sóng của DIAC
Hình 7.6 Đặc tuyến Vôn Ampe
của một DIAC song hướng
Các DIAC không bao giờ được
sử dụng một mình, mà thường
được sử dụng kết hợp với các
cấu kiện Thyristor khác.
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 10
SCR: Silicon-Controlled Rectifier (1)
Cấu tạo: quá trình biến điốt Shockley thành SCR chỉ cần thêm
một sợi dây thứ 3 nối vào cấu trúc PNPN như mô tả ở hình vẽ 7.7
Sơ đồ vật lý Sơ đồ tương đương Ký hiệu
Anốt
Cực
cửa
Catốt
Anốt
Cực
cửa
Catốt
Anốt
Cực
cửa Catốt
Hình 7.7 – Cấu kiện chỉnh lưu có điều khiển Silic (SCR)
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 11
Nguyên lý hoạt động
Nếu cực cổng G của một SCR để hở (không nối) thì nó hoạt động
giống như một điốt Shockley.
Do cực cổng G nối trực tiếp với cực gốc của transistor phía dưới, nó
có thể được sử dụng như một phương tiện thay thế để “chốt” SCR
Cung cấp một U nhỏ giữa cực cổng và catốt, transistor phía dưới sẽ
buộc phải “dẫn” do có dòng cực gốc đủ lớn, kéo theo transistor phía
trên cũng dẫn, và nó lại cung cấp đủ dòng điện cho cực gốc của
transistor phía dưới. Kết quả là sau đó SCR không còn cần được kích
hoạt bởi một điện áp cổng nữa
Tất nhiên, dòng cực cổng cần thiết để khởi động việc “chốt” sẽ nhỏ
hơn rất nhiều so với dòng điện chảy qua SCR từ catốt đến anốt, do đó
SCR sẽ có khả năng khuếch đại
SCR (2)
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 12
SCR (3)
Phương pháp buộc SCR dẫn điện được gọi là kích hoạt (triggering) và
trong thực tế nó là cách thông thường nhất để SCR được “chốt”.
Để tắt một SCR, dòng anốt phải giảm xuống dưới dòng giữ (holding
current). Trong các mạch một chiều (DC) một số phụ kiện thêm vào
phải được sử dụng để đảm bảo điều này. Trong các mạch xoay chiều
(AC) một SCR sẽ tắt khi điện áp cung cấp (điện áp anốt) đi qua điểm 0
hướng tới các giá trị âm.
(Dòng giữ)
(trạng thái dẫn)
(trạng thái tắt)
điện áp khiến một transistor
chuyển sang trạng thái dẫn
(trạng thái chặn ngược)
điện áp dẫn
(điện áp đánh
thủng ngược)
Hình 7.8 – Đặc tuyến V- A
của một SCR
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 13
GTO (Gate-Turn-Off Thyristor : Thyristor cổng tắt)
Cấu tạo: Các SCR và GTO có cùng sơ đồ tương đương (gồm hai
transistor nối theo kiểu hồi tiếp dương), điều khác biệt duy nhất là
cấu trúc được thiết kế để cho phép một transistor NPN có hệ số β
lớn hơn hệ số β của transistor PNP. Điều này cho phép một I cực
cổng nhỏ hơn (thuận hoặc ngược) để tạo ra một mức độ điều
khiển lớn hơn áp dụng cho việc dẫn từ catốt sang anốt, với trạng
thái chốt của transistor PNP trở nên phụ thuộc nhiều hơn vào
trạng thái chốt của NPN và ngược lại.
GTO còn được gọi là “chuyển mạch được điều
khiển bằng cổng”- Gate-Controlled Switch ( GCS)
Catốt
Anốt
Cực cửa
Hình 7.9 – GTO
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 14
TRIAC
SCR là cấu kiện đơn hướng (một chiều), do đó nó chỉ hữu ích
cho việc điều khiển một chiều (DC). Nếu hai SCR được nối với
nhau theo kiểu song song như hình vẽ 8.34 thì ta có một cấu kiện
mới gọi là TRIAC
Hình 7.10 - Mạch tương đương của Triac (a) và ký hiệu của Triac (b)
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 15
Đặc tuyến Vôn – Ampe của một Triac
Dòng giữ nhỏ nhất (IH)
Điện áp chặn
trạng thái tắt
(VDRM) nhỏ nhất
được định rõ
Điện áp
khiến TRIAC
dẫn
Dòng chốt (IL)
Dòng rò trạng thái tắt
(IDRM) tại điện áp đã
định rõ VDRM
Điện áp rơi (vT) tại
dòng đã được định rõ
(iT)
Hình 7.11 - Đặc tuyến Vôn – Ampe của một Triac
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 16
TRANSISTOR ĐƠN NỐI (UJT)
Hình 7.12 - Transistor đơn nối: (a) Cấu tạo, (b) Mô hình, (c) Ký hiệu
Cấu tạo: gồm một thanh bán dẫn Silic loại N có một đầu nối loại P ở
chính giữa. Các đầu nối tại hai đầu cuối của thanh bán dẫn được gọi là
các cực cửa B1 và B2; điểm nối ở giữa loại P là cực phát (emitter). Khi
cực phát hở, điện trở toàn phần là RBB0 (một thông số trong bản thông số
(data sheet) của linh kiện) bằng tổng của hai điện trở RB1 và RB2.
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 17
Đường cong đặc tuyến giữa dòng cực phát đơn nối và điện áp được mô
tả như sau: khi VE tăng, dòng IE tăng đến IP (điểm đỉnh – peak point).
Sau khi tăng đến điểm đỉnh (IP), trong vùng điện trở âm (negative
reisistance region) dòng IE tăng tiếp mặc dù điện áp giảm. Điện áp đạt
giá trị nhỏ nhất tại điểm đáy (valley point). Điện trở của RB1, điện trở
bão hoà là nhỏ nhất tại điểm đáy
Điểm
đỉnh
Trở kháng
âm
Điểm đáy
Bão hòa
Hình 7.13 - Transistor đơn nối: (a) đường cong đặc tuyến phát, (b) Mô hình cho VP
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 18
Ứng dụng của UJT:
Dùng để chế tạo bộ tạo dao động hồi phục (relaxation). Điện áp nguồn
cung cấp VBB sẽ nạp điện cho CE qua RE cho đến điểm đỉnh (peak
point). Cực phát đơn nối không có tác động gì đến tụ điện cho đến khi
điểm đỉnh được đạt tới.
Mỗi khi điện áp của tụ (VE) đạt tới điểm điện áp đỉnh VP, điện trở cực
phát -cực cửa1 (E-B1) bị nhỏ đi sẽ khiến tụ phóng một cách nhanh
chóng. Mỗi khi tụ phóng điện đến dưới điểm đáy VV, điện trở E-B1
quay trở lại thành điện trở cao, và tụ điện lại được nạp
Trong khi tụ phóng điện qua điện trở bão hoà E-B1, một xung có
thể xuất hiện trên các điện trở tải ngoài B1 và B2 (Hình vẽ 7.14).
Điện trở tải tại B1 cần phải nhỏ để không ảnh hưởng đến thời
gian phóng điện. Điện trở ngoài tại B2 là tuỳ chọn. Nó có thể
được thay thế bởi một ngắn mạch. Tần số xấp xỉ được cho bởi
1/f = T = RC
BÀI GIẢNG MÔN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ThS. Trần Thục Linh
BỘ MÔN: Kỹ thuật điện tử - KHOA KTĐT1
Trang 19
Điện trở nạp RE phải giảm đi trong các giới hạn nhất định. Nó buộc
phải đủ nhỏ để cho phép dòng IP chảy dựa trên việc nguồn cung cấp
VBB nhỏ hơn VP. Nó cũng buộc phải đủ lớn để cung cấp dòng IV dựa
trên việc nguồn cung cấp VBB nhỏ hơn VV.
Hình 7.14 - Bộ tạo dao động hồi phục (relaxation oscillator) dùng UJT
và các dạng sóng. Bộ tạo dao động điều khiển SCR
BG CKDT_GV1_Gioi thieu.pdf
Tài liệu học tập
Yêu cầu môn học
1. Giới thiệu chung về Cấu kiện điện tử
Vi mạch và ứng dụng
Lịch sử phát triển công nghệ (1)
Lịch sử phát triển công nghệ (2)
Lịch sử phát triển công nghệ (3)
Đặc điểm phát triển của mạch tích hợp (IC)
2. Phân loại cấu kiện điện tử
2.1 Phân loại dựa trên đặc tính vật lý
2.2 Phân loại dựa trên chức năng xử lý tín hiệu
2.3 Phân loại theo ứng dụng
3. Giới thiệu về vật liệu điện tử
Cơ sở vật lý của vật liệu điện tử
Lý thuyết vật lý chất rắn
Lý thuyết vật lý cơ học lượng tử
Sự hình thành vùng năng lượng (1)
Sự hình thành vùng năng lượng (2)
Sự hình thành vùng năng lượng (3)
Cấu trúc vùng năng lượng của vật chất
Các loại vật liệu điện tử
3.1 CHẤT CÁCH ĐIỆN (CHẤT ĐIỆN MÔI)
b.1 Hằng số điện môi
b.2 Độ tổn hao điện môi (Pa)
b3. Độ bền về điện của chất điện môi (Eđ.t)
b5. Dòng điện trong chất điện môi (I)
Phân loại và ứng dụng của chất điện môi
3.2 CHẤT DẪN ĐIỆN
Phân loại và ứng dụng của chất dẫn điện
3.3 VẬT LIỆU TỪ
Phân loại và ứng dụng của vật liệu từ
4. Các phần mềm EDA hỗ trợ môn học
BG CKDT_GV2_CK thu dong.pdf
Điện trở (Resistors)
1.1 Định nghĩa
1.2 Các tham số kỹ thuật và đặc tính của điện trở
a. Trị số điện trở và dung sai
b. Hệ số nhiệt của điện trở - TCR
c. Công suất tiêu tán danh định của điện trở (Pt.t max )
d. Tạp âm của điện trở
1.3 Ký hiệu của điện trở trên các sơ đồ mạch
1.4 Cách ghi và đọc tham số trên thân điện trở (1)
1.4 Cách ghi và đọc tham số trên thân điện trở (2)
1.5 Điện trở cao tần và mạch tương đương
1.6 Phân loại điện trở (1)
Một số điện trở đặc biệt
2. Tụ điện (Capacitors)
2.1 Định nghĩa
2.2 Các tham số kỹ thuật đặc trưng của tụ điện
c. Hệ số nhiệt của tụ điện
d. Dòng điện rò
e. Sự phân cực
2.3 Ký hiệu của tụ
2.4 Cách đọc và ghi trị số trên tụ
2.5 Sơ đồ tương đương của tụ
2.6 Phân loại tụ điện
Ứng dụng
Một số hình ảnh của Tụ điện
3. Cuộn cảm (Inductor)
3.1 Định nghĩa
3.2 Ký hiệu của cuộn cảm
3.3 Các tham số kỹ thuật đặc trưng của cuộn cảm
a. Độ tự cảm (L)
b. Hệ số phẩm chất của cuộn cảm (Q)
c. Tần số làm việc giới hạn (fg.h)
3.4 Cách ghi và đọc tham số trên cuộn cảm
3.5 Phân loại và ứng dụng
4. Biến áp (Transformer)
4.1. Định nghĩa
Nguyên lý hoạt động của biến áp
4.2. Các tham số kỹ thuật của biến áp
a. Hệ số ghép biến áp K
b. Điện áp cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp
c. Dòng điện sơ cấp và dòng điện thứ cấp �d. Hiệu suất của biến áp
4.3. Ký hiệu của biến áp
4.4 Phân loại và ứng dụng
BG CKDT_GV3_Semiconductor.pdf
Chương 3- Chất bán dẫn (Semiconductor)
1. Định nghĩa
2. Cấu trúc mạng tinh thể chất bán dẫn đơn Si
Cấu trúc mạng tinh thể của chất bán dẫn ghép
3. Chất bán dẫn thuần (Intrinsic semiconductor)
Sự tạo thành lỗ trống và điện tử tự do
Các thuật ngữ
Quá trình tạo hạt tải điện và quá trình tái hợp
Hàm phân bố Fermi-Dirac
Hàm phân bố Fermi-Dirac (1)
Hàm phân bố Fermi-Dirac (2)
4. Chất bán dẫn không thuần
a. Chất bán dẫn loại N (1)
a. Chất bán dẫn loại N (2)
b. Chất bán dẫn loại P
b. Chất bán dẫn loại P
Nồng độ hạt tải điện trong bán dẫn không thuần (1)
Nồng độ hạt tải điện trong bán dẫn không thuần (2)
Mức Fermi trong chất bán dẫn không thuần (1)
Mức Fermi trong chất bán dẫn không thuần (2)
5. Dòng điện trong chất bán dẫn (1)
5. Dòng điện trong chất bán dẫn (2)
6. Độ dẫn điện của chất bán dẫn
Tổng kết
BG CKDT_GV4_DIOT.pdf
Chương 5- Điốt (Diode)
3.0 Giới thiệu chung
3.1 Cấu tạo và kí hiệu của điôt chỉnh lưu
3.2 Nguyên lý hoạt động của điôt
3.3 Đặc tuyến Vôn-Ampe của điôt bán dẫn
Cơ chế đánh thủng trong chuyển tiếp PN
3.4 Tham số cơ bản của điốt (1)
3.4 Tham số cơ bản của điốt (2)
3.4 Tham số cơ bản của điốt (3)
3.5. Các mô hình tương đương của điốt
Các mô hình tương đương của điốt phân cực thuận (1)
Các mô hình tương đương của điốt phân cực thuận (2)
Các mô hình tương đương của điốt phân cực ngược
Các mô hình tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ (1)
Các mô hình tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ (2)
Các mô hình tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ (3)
3.6 Phân loại điôt (1)
3.6 Phân loại điôt (2)
3.4 Phân loại điôt (3)
Một số hình ảnh của Điốt
Điốt Zener (1)
Điốt Zener (2)
3.7 Một số ứng dụng của Điốt (1)
3.7 Một số ứng dụng của Điốt (2)
3.7 Một số ứng dụng của Điốt (3)
3.7 Một số ứng dụng của Điốt (5)
3.7 Một số ứng dụng của Điốt (6)
3.7 Một số ứng dụng của Điốt (7)
3.7 Một số ứng dụng của Điốt (8)
3.7 Một số ứng dụng của Điốt (9)
BG CKDT_GV5_BJT.pdf
Chương 5 - BJT (Transistor lưỡng cực)
1.1. Cấu tạo BJT loại pnp, npn
1.1. Cấu tạo BJT loại pnp, npn
Kí hiệu và các dạng đóng vỏ khác nhau của BJT
1.2. Nguyên lý hoạt động của BJT
1.2. Nguyên lý hoạt động của BJT
a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (1)
a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (2)
a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (3)
a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (4)
a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (5)
Phân bố nồng độ hạt dẫn trong BJT
Tính toán dòng Collector : IC
Tính toán dòng Base : IB
Dòng điện trên cực phát IE
a. BJT làm việc trong chế độ tích cực
Tóm tắt: BJT làm việc trong chế độ tích cực
b. BJT ở chế độ ngắt (Cut-off )
Tính dòng điện trong BJT ở chế độ ngắt
c. BJT ở chế độ bão hòa (Saturation)
Tính dòng trong BJTở chế độ bão hòa
1.3 Mô hình Ebers-Moll (1)
1.3 Mô hình Ebers-Moll (2)
Mô hình Ebers-Moll đơn giản cho các CĐ làm việc
2. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng
2. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng
2. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng
Các tham số đặc trưng cho BJTở mỗi chế độ mắc (1)
Các tham số đặc trưng cho BJTở mỗi chế độ mắc (2)
2.1 Sơ đồ BJT npn mắc cực phát chung - CE
Đặc tuyến ra và đặc tuyến khuếch đại (CE)
Nhận xét đặc tuyến ra
Xác họ định đặc tuyến vào tĩnh:�
Các tham số đặc trưng (CE)
2.2 Sơ đồ BJT npn mắc cực phát chung - CB
Đặc tuyến ra tĩnh (CB)
Nhận xét đặc tuyến vào tĩnh (CB)
Các tham số đặc trưng (CB)
2.3 Sơ đồ BJT npn mắc cực góp chung - CC
Đặc tuyến vào tĩnh (CC)
Đặc tuyến ra (CC)
Các tham số đặc trưng (CC)
3. Phân cực cho BJT
3.1 Khái niệm phân cực cho các CĐ làm việc của BJT
3.1 Khái niệm phân cực cho các CĐ làm việc của BJT
Mô hình tương đương một chiều
3.2 Mạch định thiên bằng dòng cố định (Đ/thiên cực gốc)
3.3 Mạch phân cực hồi tiếp âm
a. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector
a. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector
b. Mạch định thiên hồi tiếp âm Emitter
c. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector và Emitter
3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp
3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp
3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp
3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp
Tổng kết sự cải thiện các mạch định thiên cho BJT
Mạch định thiên cho BJTpnp
3.5 BJT trong chế độ chuyển mạch (chế độ xung)
3.5 BJT trong chế độ chuyển mạch
Thời gian quá độ của BJT
4. Các mô hình tương đương của BJT
b. Mô hình tham số Hybrid
b1. Mô hình mạch tương đương Hybrid – mạch CE
b2. Mô hình mạch tương đương Hybrid – mạch mắc CB,CC
c. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid-
Độ hỗ dẫn gm, Điện trở vào
Điện áp Early
Điện trở đầu ra
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid-
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid- của BJT pnp
d. Mô hình tương đương re
Mô hình tương đương re của BJT pnp
5. Phân loại BJT
6. Một số mạch ứng dụng dùng BJT
BG CKDT_GV6_FET.pdf
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ & QUANG ĐIỆN TỬ
1. Giới thiệu chung về FET
Phân loại chung về FET
Đặc điểm của FET
2. Transistor trường loại tiếp giáp - JFET
2.1 Cấu tạo của JFET (1)
2.1 Cấu tạo của JFET (2)
2.2 Nguyên lý hoạt động của JFET (1)
2.2 Nguyên lý hoạt động của JFET (2)
Đặc tuyến ra của JFET kênh N (1)
Đặc tuyến ra của JFET kênh N (2)
Đặc tuyến ra của JFET kênh N (3)
Đặc tuyến truyền đạt của JFET kênh N (1)
Đặc tuyến truyền đạt của JFET kênh N (2)
Các họ đặc tuyến của JFET kênh N
Các họ đặc tuyến của JFET kênh P
Tham số cơ bản của JFET kênh N
Tham số cơ bản của JFET kênh N
So sánh giữa BJT và FET
2.3 Các cách mắc và họ đặc tuyến của JFET
So sánh về chế độ làm việc giữa JFET và BJT
2.4 Phân cực cho JFET (1)
2.4 Phân cực cho JFET (2)
Định thiên điện áp cực G cố định (Gate bias/Fixed bias)
Mạch tự định thiên (Sefl bias)
Mạch định thiên tự cấp
2.5 Mô hình tương đương của JFET
a/ Mô hình tương đương 1 chiều và tín hiệu lớn
b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp (1)
b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp (2)
b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp (3)
2.6 Một số mạch ứng dụng đơn giản của JFET
3. Cấu trúc MOS
3. Cấu trúc MOS
Ứng dụng của cấu trúc MOS
3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (1)
3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (2)
3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (3)
3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (4)
3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (5)
3.1 Điện trường của N-MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt (6)
3.2 Điện trường của N-MOS khi được phân cực (1)
3.2 Điện trường của N-MOS khi được phân cực (2)
Trạng thái năng lượng bằng phẳng (Flatband):UGB=UFB = -fB
Trạng thái tích luỹ (accumulation): UGB< UFB
Trạng thái chuyển tiếp (depletion): UFB < UGB< 0
Trạng thái chuyển tiếp (depletion ): 0< UGB < UT
Trạng thái ngưỡng (threshold): UGB = UT
Trạng thái đảo (inversion): UGB > UT
3.3 Đường cong Q-V của cấu trúc N-MOS
4. Transistor trường loại cực cửa cách ly – IGFET
4.1 Cấu tạo của MOSFET (1)
4.1 Cấu tạo của MOSFET (2)
4.1 Cấu tạo của MOSFET (3)
4.1 Hình ảnh của MOSFET
4.2 Nguyên lý làm việc của MOSFET
Nguyên lý làm việc của D-MOSFET (1)
Nguyên lý làm việc của D-MOSFET (2)
D-MOSFET làm việc theo nguyên lý làm việc tổn hao
D-MOSFET làm việc theo nguyên lý tăng cường
Các họ đặc tuyến của D-MOSFET kênh N
Các họ đặc tuyến của D-MOSFET kênh P
Nguyên lý làm việc của E-MOSFET
Đặc tuyến ra của E-MOSFET kênh N
Các họ đặc tuyến của E-MOSFET kênh N
Các họ đặc tuyến của E-MOSFET kênh P
Bảng so sánh đặc tuyến truyền đạt của các cấu kiện FET
4.4 Định thiên (Phân cực) cho MOSFET
A1. Mạch tự định thiên D-MOSFET
Xác định điểm làm việc Q
A2. Định thiên bằng mạch phân áp cho D-MOSFET
Điểm làm việc Q
A3. Định thiên cực G cố định
B1. Định thiên cho E-MOSFET bằng mạch hồi tiếp
Sơ đồ 1 chiều tương đương
Đặc tuyến truyền đạt
Xác định điểm làm việc Q
Ví dụ
B2. Định thiên cho E-MOSFET kênh N dùng mạch phân áp (1)
B2. Định thiên cho E-MOSFET kênh N dùng mạch phân áp (2)
B2. Định thiên cho E-MOSFET kênh N dùng mạch phân áp (3)
4.5 Mô hình tương đương của MOSFET
a/ Mô hình tương đương 1 chiều và tín hiệu lớn của D-MOSFET
a/ Mô hình tương đương 1 chiều và tín hiệu lớn của E-MOSFET
b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của D-MOSFET (1)
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của D-MOSFET (2)
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của E-MOSFET (1)
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của E-MOSFET (2)
4.6 Cấu trúc CMOS
BG CKDT_GV7_Thyristor.pdf
CHƯƠNG 7. Thyristor �
Hiện tượng trễ
Điốt Shockley (1)
Điốt Shockley (2)
Điốt Shockley (3)
Điốt Shockley (4)
DIAC (1)
DIAC (2)
DIAC (2)
TRIAC
Đặc tuyến Vôn – Ampe của một Triac
TRANSISTOR ĐƠN NỐI (UJT)�
Ứng dụng của UJT:
BG CKDT_GV8_Quang.pdf
CHƯƠNG 8 �CẤU KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ �
Giới thiệu chung (1)
Giới thiệu chung (2)
Giới thiệu chung (3)
Giới thiệu chung (4)
Các cấu kiện biến đổi Điện – Quang�(Cấu kiện phát quang)
Sự tương tác giữa ánh sáng và vật chất
Điôt phát quang (LED) chỉ thị (1)
LED chỉ thị (2)
LED chỉ thị (3)
LED chỉ thị (5)
LED hồng ngoại (1) �
LED hồng ngoại (2)
Một số hình ảnh của LED
Mặt chỉ thị tinh thể lỏng - LCD (1)
LCD (2)
LCD (3)
Laser bán dẫn (1)
Laser bán dẫn (2)
Cấu trúc của laser
Các cấu kiện chuyển đổi Quang – Điện
Quang trở (LDR-Light Dependent Resistor) (1)
Quang trở (2)
Nguyên lý của điốt quang
PIN Diode (Photodiode có lớp bán dẫn thuần)
PIN Diode (2)
APD
Các đặc điểm của điốt quang
Transistor quang (1)
Transistor quang (2)
Transistor quang (3)
Transistor quang (4)
Các bộ ghép quang (Opto- Couplers) (1)
Các bộ ghép quang (2)
Các bộ ghép quang (3)
Các bộ ghép quang (4)
Các bộ ghép quang (5)
Các bộ ghép quang (6)
Các bộ ghép quang (7)
Các bộ ghép quang (8)
Các bộ ghép quang (9)